来源：全球半导体观察    原作者：竹子 

近期，市场各方消息显示，功率半导体市场逐渐开启新一轮景气上行周期，新洁能、扬杰科技、台基股份等多家功率半导体公司股价纷纷上涨，包括华润微、扬杰科技、华虹半导体等在内的企业产能利用率接近满载，部分高性能功率器件已率先开启涨价潮。

在此市场景气上行之际，功率半导体市场也将迎来新一轮放量周期，近期士兰微投资120亿元的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正式开工，除此之外，包括芯联集成、捷捷微电、芯粤能多家企业功率半导体项目也在上半年有最新动态。

多家企业产能利用率接近满载

从市场需求端看，消费电子行业从去年末开始缓慢复苏，至今年一季度有所起色。并且高端的汽车电子、AI带动的高性能计算及高速通信等需求，给功率半导体产业带来新的成长驱动力。其中值得注意的是工控领域。多家功率半导体上市公司表示，工控领域的需求较为稳定，在下行周期对业绩起到了很大的润色作用。

从最近多家企业两个季度的产能利用率看，行业整体起色较为明显。华润微近期在接受相关机构调研时表示，公司6英寸及8英寸产线的产能利用率达到90%以上，其中部分产品线已在95%以上；12英寸产线处于爬坡上量以及客户验证阶段。

扬杰科技则表示，已经处于满产满销状态；二季度产品价格基本企稳，目前公司在手订单充足。宏微科技则看好下半年需求，其近日表示，预计第三季度订单较上半年更饱和。

华虹半导体方面，据华虹一季度业绩发布会，截至一季度末，华虹8英寸月产能达到39.1万片，总产能利用率为91.7%，较上季度提升7.6个百分点。此外，在CIS、BCD和嵌入式非易失性存储器，以及部分功率器件的需求推动下，华虹12英寸产能利用率保持强劲。另外，华虹半导体对二季度预期较好，从二季度业绩指引来看，华虹预计销售收入约在4.7亿美元至5亿美元之间，中值环比一季度实际业绩上升5.4%，预计毛利率约在6%至10%之间，中值环比一季度实际毛利率提升1.6%。

芯联集成近期在接受行业媒体采访时表示，功率半导体复苏得比预期要早，公司产线也已经基本上处于满载状态。芯联集成在近日接受机构调研时表示，AI催生出面向大型GPU的高性能电源管理芯片的需求。公司的第一代BCD已开始小规模量产，第二代55nm解决方案获得了关键客户重大定点。公司正全力扩大客户群、加速产品导入，BCD产品将成为公司增长点之一。

而从功率器件价格上看，今年1月起，各个功率半导体公司相继调价:三联盛全系列产品上调10-20%、蓝彩电子全系列产品上调10-18%、高格芯微全线产品上调10-20%、捷捷微电TrenchMOS上调5-10%等。而最近两个月，据产业链端消息，针对部分中低压产品,华润微、扬杰科技等功率大厂也相继有涨价和谈价的动作。华润微认为产品价格方面基本触底，年内有望逐步修复。扬杰科技则表示，半导体产品价格受上游成本、技术工艺水平、行业周期性及下游需求等多种因素影响，近期随着原材料价格波动，公司产成品价格也会随之进行相应的调整。

开工/投产，多个项目迎来新进展

功率半导体也将迎来新一轮放量周期，近期士兰微投资120亿元的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线正式开工，除此之外，还有多家企业功率半导体项目也在上半年有最新动态。

投资120亿！士兰微8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工

据厦门广电网消息，6月18日，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线在海沧区开工。据悉，该项目总投资120亿元，分两期建设，两期建成后将形成8英寸SiC功率器件芯片年产72万片的生产能力。其中第一期项目总投资70亿元，预计在2025年3季度末实现初步通线，2025年4季度试生产并实现产出2万片的目标；2026年-2028年持续进行产能爬坡，最终将形成年产42万片8吋SiC功率器件芯片的生产能力。

公开资料显示，此次士兰集宏8英寸制造生产项目是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两个重要项目后，士兰微电子落地厦门海沧的第三个重要项目。这条生产线投产后将成为国内第一条拥有完全自主知识产权、产能规模最大的8英寸碳化硅功率器件芯片生产线。将较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片，同时促进国内8英寸碳化硅衬底及相关工艺装备的协同发展。

芯联集成国内首条8英寸SiC MOSFET产线预计今年将完成通线验证

在SiC方面，芯联集成于2021年起开始投入SiC MOSFET芯片、模组封装技术的研发和产能建设。

目前，芯联集成最新一代的SiC MOSFET产品性能已达世界领先水平，用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块也于2023年实现量产。截至2023年12月，芯联集成6英寸SiC MOSFET产线已实现月产出5000片以上。

今年四月，芯联集成在业绩说明会上表示，芯联集成的国内首条8英寸SiC MOSFET产线已始投片，今年将完成通线验证，明年进入量产。与此同时，公司沟槽式碳化硅MOSFET研发已经进入验证阶段，这些进展都将在一定程度上推动碳化硅器件的成本优化。

捷捷微电8英寸功率半导体项目加速推进

5月16日，捷捷微电8英寸功率半导体器件芯片项目签约落户苏锡通科技产业园区。据悉，捷捷微电功率半导体“车规级”封测产业化建设项目也已于4月份厂房封顶，正在进行玻璃幕墙施工。

据悉，捷捷微电功率半导体“车规级”封测项目于2023年初开工，建设期在2年左右。该项目总投资为133395.95万元，总建筑面积16.2万平方米，拟投入募集资金119500万元，主要从事车规级大功率器件的研发、生产及销售，建设完成后可达年产1900kk车规级大功率器件DFN系列产品、120kk车规级大功率器件TOLL系列产品、90kk车规级大功率器件LFPACK系列产品以及60kkWCSP电源器件产品的生产能力。

芯粤能SiC芯片制造项目加速一期产能爬坡

公开资料显示，芯粤能碳化硅（SiC）芯片制造项目是广东“强芯工程”重大项目，总投资额为75亿元，占地150亩，一期投资35亿元，建成年产24万片6英寸SiC芯片的生产线，二期建设年产24万片8英寸SiC芯片的生产线，产品包括IGBT、SiC SBD/JBS、SiC MOSFET等功率器件，主要应用于新能源汽车、光伏、智能电网等领域。

2023年6月，芯粤能表示其车规级SiC芯片产线已经进入量产阶段，包括1200V 16毫欧/35毫欧等一系列车规级和工控级SiC芯片产品，各方面测试数据良好，陆续交付多家主机厂和客户送样验证。芯粤能称已签约COT客户10余家，并即将完成4家客户规格产品量产。近日，据芯粤能晶圆厂厂长邵永华介绍，目前整个工厂正在扩产爬坡，预计今年年底实现年产24万片6英寸车规级SiC芯片的规划产能。预留的8英寸产线就在6英寸产线隔壁，建成后将具备年产24万片8英寸车规级SiC芯片的能力。